Target multi-busur logam dengan kemurnian tinggi

Sasaran bulat multi-busur berbahan logam dan paduan

1. Kemurnian: 2N8,3N,3N5,4N,4N5,5N

2.Teknik dan Permukaan: Ditempa, digiling, permukaan cerah berkilau, HIP

3. Bentuk/Bentuk: Lingkaran / planar / tabung / Bulat / Plat / Tabung, Dibuat khusus sesuai gambar

4. Ukuran:

Diameter bulat: 60~1000mm, ketebalan: 10~1500mm

Ketebalan plat (15~30) * lebar (50~1500) * panjang (100~2000) mm

Tabung OD: 20 ~ 300mm, ketebalan: 5 ~ 60mm, panjang: 50 ~ 2000mm

Lainnya Terkait

Bahan target logam datar / bulat dengan kemurnian tinggi 99,99% hingga 99,995 Target sputtering Kromium Cr

Logam: Ti, Ni, Cu, Co, Cr, Al, Fe, V, Zn, Sn, W, Mo,Ta, Nb, Zr, Hf, Ge, Bi, Sb, Mg, Mn dan lain-lain.

Sasaran Paduan Logam: Mo, Zr, Ta, Nb, NbZr, Ni, Si, Sn, NiGr (8:2), NiGr (95:5), NiV, NiCu, NiCr, NiFe, TiAl, AlCr, SiAl, CoFe, CoCr, VFe, TiCr, TiV, NiTi, NbTi, WTi, WCu, SiGe, CoTaZr, CuNiMn, dan lain-lain. Paduan khusus dapat disesuaikan.

Sasaran Tanah Jarang: Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Nd, Sm, Er, Tm, Yb, dan lain-lain. Paduan lainnya dapat disesuaikan.

Logam Kemurnian Tinggi: Ni, Ti, Al, V, Co, Cu, Ta, Nb, W, Mo, Cr, Ag, Au, dan lain-lain.

Wadah Logam: W, Mo, Ta, Nb, Cu, dll.
Kerucut Logam: Ni, Ti, Co, Cr, Ta, Nb, W, Mo, dan lain-lain.

Aplikasi

Target mengacu pada sumber sputtering yang dapat menyemprotkan berbagai film tipis fungsional pada substrat (kaca, PET, dll.) dalam kondisi proses yang tepat melalui sputtering magnetron, pelapisan ion multi-busur, atau sistem pelapisan lainnya.

Sistem sputtering magnetron menempatkan magnet Gaussian yang kuat di belakang target negatif, dan ruang vakum diisi dengan sejumlah gas inert (Ar) sebagai pembawa pelepasan. Di bawah aksi tekanan tinggi, atom Ar terionisasi menjadi ion Ar+ dan elektron, menghasilkan pelepasan cahaya plasma. Selama percepatan lalat ke substrat, elektron dipengaruhi oleh medan magnet yang tegak lurus terhadap medan listrik, yang membelokkan elektron dan terikat ke permukaan di dekat target. Di area plasma, elektron maju di sepanjang permukaan target secara spiral, dan terus-menerus bertabrakan dengan atom Ar selama pergerakan, mengionisasi sejumlah besar ion Ar+. Setelah beberapa kali tumbukan, energi elektron secara bertahap berkurang, menghilangkan garis gaya magnet, dan akhirnya jatuh pada substrat, dinding bagian dalam ruang vakum, dan sumber target.

Tag populer: